1747-L531

1747-L531

1747-L531

具低關閉損耗　HS3 IGBT適合高頻應用

　　測量時使用50安培（A）額定集極電流的650V IGBT3、650V IGBT4及650V HS3 IGBT，透過測量切換損耗來決定晶片的電子效能。測量時，將每個晶片整合在具有相同電路及17奈亨（nH）雜散電感的EasyPACK 2B功率模組。由于導通損耗EON主要受使用的飛輪二極體影響，所有晶片在運作時皆使用額定電流IF=30A的650V射極控制二極體。

　　除非另行，所有測量均在實驗室中依下列條件進行：采用整合式電流探針且雜散電感為L=25nH;直流連結電壓設為VDC=400V，符合一般應用電壓，晶片以IC=50A的額定集極電流運作;IGBT驅動使用閘射極電壓VGE=±15V。所有測量均在Tvj=25℃下執(zhí)行。

　　晶片的切換運作皆在上述設定下測量，從開通及關斷波形中擷取出對應的能源和特性切換參數(shù)。

　　圖1顯示HS3 IGBT、IGBT3及IGBT4在相同切換參數(shù)下的切換損耗。于開通及關斷時分別達到di/dt=1.5千安培（kA）/微秒（s）和dv/dt=4.5千伏特（kV）/s的條件設定RG。HS3 IGBT具有zui低的切換損耗EON及EOFF，且加總的Etotal不及IGBT3的一半。圖1中插圖顯示HS3 IGBT的EON和di/dt與RG的關系，RG升高時，EON升高，而di/dt降低;尤其在RG1kA/s，而較高的RG將使di/dt低于0.5kA/s。

　　圖1針對HS3 IGBT、IGBT3和IGBT4，開通時在相同的di/dt下，關斷時在相同的dv/dt下，EON、EOFF和Etotal的切換能量比較。上方插圖為HS3 IGBT的EON和di/dt與RG的關聯(lián)。

　　HS3具有低關閉損耗，表示其切換效能優(yōu)異。因此，HS3 IGBT高頻率應用，其藉由權衡EOFF和VCE（sat），可提供低動態(tài)損耗。由于HS3 IGBT使用高閘極電阻，使其具有高導通損耗，同時帶來極低的di/dt。為補償此特性，必須大幅降低導通閘極電阻，其中一種可行的實作方式是使用較為精密的閘極驅動設計，讓HS3 IGBT可用做非常高效率的切換開關。

《銷售態(tài)度》：質量保證、誠信服務、及時到位！

《銷售宗旨》：為客戶創(chuàng)造價值是我們永遠追求的目標！

《服務說明》現(xiàn)貨配送至全國各地含稅（17%）含運費！

《產(chǎn)品質量》** ！

《產(chǎn)品優(yōu)勢》專業(yè)銷售 薄利多銷 信譽好，口碑好，價格低，貨期短

，服務周到！

Invensys Triconex  4351B  3700A   3805E  3503E 大量現(xiàn)貨
Allen-Bradley(美國AB) 1756-L61 L62 L63  1756-ENBT大量現(xiàn)貨
Invensys Foxboro FBM201  FBM203  FBN207C  FBM242大量現(xiàn)貨

-----------------
：歐工
               
：
  

Landis LIVE WORKHEAD GRINDER ATTACHMENT, Landis 1R Live Work Head
LANDIS & GYR 562-001 USPP 562001
LANDIS & GYR 549-616 NSPP 549616
VINTAGE LANDIS 3 SEWING MACHINE LEATHER REPAIR TOOL #B-W 24
LANDIS A130486 PCD VARIALBE SPEED INTERFACE
LANDIS A130486 PCD VARIABLE SPEED INTERFACE BOARD
LANDIS & GYR 549-623 USPP 549623
LANDIS & GYR 545-796 NSFP 545796
LANDIS & GYR 545-700 USPP 545700
LANDIS & GYR 545-701 USPP 545701
LANDIS & GYR R533-665 NSFP R533665
LANDIS VSCD A134454 BOARD
LANDIS & GYR 533-685 NSFP 533685
LANDIS & GYR 545-442 USPP 545442
LANDIS & GYR 545-730 USPP 545730
LANDIS & GYR 565-398 USPP 565398
LANDIS & GYR AEM2100 USPP AEM2100