NTT的FZP由干法蝕刻的Ta組成。具有出色的高耐X射線輻射性、高分辨率和高對(duì)比度,吸收體圖案清晰，S/N比高，成像缺陷少, 能理想地應(yīng)用于X射線顯微鏡、X射線微光束輻射和X射線成像。
另外，還提供用于軟X射線和極紫外（EUV、XUV）領(lǐng)域的Ta圖案／SiN膜型FZP和Au板圖案／SiN 膜型FZP。并提供臺(tái)階式（基諾全息照片）FZP
型號(hào) | 寬高比 | 膜材料 | 膜厚度 （μm） | ΔRn （nm） | D （μm） | N | Tm （nm） |
FZP-S38/84 | 4.2 | SiN | 0.15 | 38 | 84 | 550 | 160 |
FZP-S50/80 | 5 | SiN | 0.2 | 50 | 80 | 400 | 250 |
FZP-S40/155 | 5 | SiN | 2 | 40 | 155 | 970 | 200 |
FZP-S50/330 | 8 | SiN | 1 | 50 | 330 | 1,650 | 400 |
FZP-S86/416 | 8 | SiN | 2 | 86 | 416 | 1,200 | 700 |
FZP-100/155 | 8 | SiN | 2 | 100 | 155 | 388 | 800 |
FZP-173/208 | 5.8 | SiN | 2 | 173 | 208 | 300 | 1,000 |
FZP-200/206 | 8 | SiN | 2 | 200 | 206 | 255 | 1,600 |
FZP-C234/2500 | 0.6 | SiC | 0.2 | 234 | 2,500 | 2,670 | 150 |
NTT-AT的EUV-FZP針對(duì)EUV波長(zhǎng)進(jìn)行了優(yōu)化。
薄膜上的Ta吸收劑圖案實(shí)現(xiàn)低于100nm / a
少數(shù)100納米聚焦和成像等
- EUV顯微鏡
- EUV納米束生成
- 超精細(xì)EUV檢查
